EBAC电子束吸收电流分析系统

裕隆时代向用户提供专业的的电子束吸收电流分析系统EBAC/RCI。

EBAC/RCI电子束吸收电流分析系统，能够方便快速的定位半导体芯片电路中的短路及失效点位置，不但可以对同层电路，而且可以对次表层，甚至表层下第三层、第四层电路进行失效点的精准定位，因此能够对半导体芯片电路或相关材料进行快速准确的失效分析。

目前，集成电路芯片设计越来越复杂，关键尺寸和金属连线线宽越来越小，传统的失效点定位方法，如微光显微镜或光束又到电阻变化鞥，由于其分辨率不足，导致不能精确地定位电路故障点位置，电压衬度方法虽然在一些开路短路失效分析中能快速地定位失效点，但只是局限于电路同层分析。

EBAC/RCI电子束吸收电流分析系统是基于扫描电镜的分析系统，在保留扫描电镜高分辨率的前提下，能够对同层芯片电路进行高精准定位，同时能够对次表层甚至表面下第三、第四层电路进行失效点定位，因此越来越多的应用于先进制程芯片的失效分析。在涉及多层金属层的失效定位分析时，EBAC/RCI方法更加简便精确，可保证分析的成功率，并缩短分析周期。

对样品中的开路、有阻值或者短路缺陷进行精准定位
 

对金属线中由于断裂、腐蚀、电子迁移或外来颗粒造成的电路阻断进行精准定位

准确识别连接处由于界面污染造成的电阻开路

FIB制样过程中精准定位，为透射电镜做出高质量样品 

最高分辨率下表征样品连接处的性能
 

直观展示亚微米平面分辨率下的电路网络集成和从电性失效分析（EFA）到物性失效分析（PFA）的桥接

 诊断电路结构和其他长期课题，包括电路污染、金属花斑缺陷（pattering defects），电阻互联板（resistive interconnectors）或者电迁移（electro-migration）

直接辨别电路缺陷到具体某一层和失效的具体位置，迅速改进从而有效提生产品质量

内置偏压对比装置，确定设备操作模式
 

延迟装置（delayered devices）中以图像方式显示偏压/电压对比

偏压条件下监控设备操作

通过设备设置对比图像特征

可在很薄的绝缘体层中确定缺陷位置
 

在彻底失效前，直接观测栅极氧化层（GOX）和氧化电容器（COX）中的缺陷，并对其精准定位

亚微米分辨率下，精准定位由静电放电（ESD）和过电应力（EOS）导致的氧化物短路

定位过程中，通过低至nW级的电力损耗，可有效保护样品的原始缺陷特征

通过电压对比，找到隐藏的样品缺陷
 

发现允许电荷穿过连接器的低抗阻

进行半导体硅基底相连接部分的结构分析

对大型金属结构特性进行分析