裕隆最新产品： ArFab 100 氩离子抛光仪

2024年10月，裕隆时代最新推出性能优越的ArFab100氩离子抛光仪，为扫描电镜SEM、EBSD、电子探针EPMA、原子力显微镜AFM的样品进行平面抛光和截面离子切割。

超大平面抛光装载尺寸25x25mm（直径X高度），为原位试验等大尺寸样品试验提供可能。

适用范围：新能源材料、非常规能源、半导体、芯片、制药等行业。
 

大尺寸切抛合一的纳米加工系统                             

性能优势

• 一套系统兼具离子平面抛光和离子切割功能，操作简捷
•  动态离子切割技术，实现样品的往复平移和旋转，最大切割长度达10mm，有效减少投影/遮挡效应
• 超大平面抛光装载尺寸25x25mm（直径X高度），为原位试验等大尺寸样品试验提供可能
• 能量0.5-10KV连续可调，既可满足低能区减少非晶层，又可兼顾高能区，大幅提高制样效率
• 10英寸彩色触屏，全中文图像用户界面，方便快捷的参数设置，可远程控制

样品适用性

• 无论软硬，多孔或致密，脆性或韧性，热敏感，或非均质多相复合型材料，都可获得高质量无损切割界面

• 切割模式采用独创的微型多轴动态离子切割台，样品切割长度可达10mm

应用案例

• 离子平面抛光后的页岩截面，揭示样品表面纳米级孔隙，左图为无机孔，右图为有机孔。SEM图像，石油地质。

• 离子切割后的手机柔性屏幕内部结构和材料特征。半导体领域

• 离子切割后的电池材料截面，揭示其内部结构。左图为电池阳极几篇，右图为电池隔膜。SEM图像，能源材料领域

• 左图：离子切割后芯片内部结构，右图：离子平面抛光后芯片内部结构。SEM图像，半导体芯片领域。

• 平面抛光后LED焊盘结构。SEM图像，半导体光电领域

• 低电压平面抛光后的合成材料EBSD结构。EBSD图像，新材料领域。

技术参数

敬请联络 裕隆时代

010-62369061      13693309125